традиционная сухая литография имеет физические ограничения на уровне 65 нм
Почему?
Технологически, главным фаворитом гонки "22 нанометра и менее" является литография с использованием жесткого ультрафиолетового излучения (EUV, вакуумная литография). Однако ввиду постоянных отсрочек появления коммерческих аппаратов для EUV-литографии, производители, возможно, предпочтут использование современных 193-нм иммерсионных сканеров с применением комплексных методов получения изображения, например двойного экспонирования, для 32-нм технологического процесса. Дальнейшее направление литографического развития остается пока неопределенным.
Вот это и беспокоит
08.07.2008
http://www.3dnews.ru/news/32_nm_tehprotsess_intel_vibiraet_immersionnuu_litografiu_nikon/
при переходе к нормам 32-нм технологического процесса производства процессоров компания Intel впервые за много лет изменит стратегию отбора производственного оборудования. Говорят, что теперь, вместо использования литографического оборудования от нескольких компаний Intel будет сотрудничать с единственным поставщиком, и этим поставщиком станет не привычный традиционный голландский партнёр ASML Holding NV, а японская Nikon.
ранее – вплоть до 45-нм техпроцесса, Intel придерживалась стратегии закупки производственного литографического оборудования как минимум у двоих производителей - ASML и Nikon (ещё раньше – даже трёх, включая Canon). речь идёт именно об иммерсионном 193-нм оборудовании для работы с критичными слоями
во всех техпроцессах последних лет вплоть до 45-нм включительно Intel использовала традиционные "сухие" литографические сканнеры и фотомаски с фазовым сдвигом. Может быть, в этом секрет?
При использовании норм 32-нм техпроцесса Intel планирует использовать линейку 193-нм иммерсионных сканеров Nikon NSR-610C с многоосным катадиоптрическим дизайном оптики, обладающей NA (числовой апертурой) 1.30.
Цена вопроса:
одна печатная маска может стоить до $1 млн. для правил дизайна 90-нм и стоимость удваивается для 65-нм и утраивается для 45нм.
EUV
http://www.3dnews.ru/news/euv_litografiya_stanovitsya_vse_bolee_realnoi/
Первоначально технология была предназначена для производства микросхем по 45-нм проектным нормам, сейчас сроки ее внедрения отнесены как минимум до 2011 года к моменту старта 22-нм производства. Часть отраслевых экспертов и вовсе полагают, что технологии не суждено дойти до коммерческого применения, хотя бы ввиду высокой стоимости оборудования. Так, по расчетам аналитиков, цена только одного сканера в будущем может составить от 60 до 100 миллионов долларов США.
Иммерсия
Иммерсионный метод использует воду для замены воздуха в качестве среды между литографическими линзами и поверхностью подложки для нанесения рисунка микросхемы. Вода обеспечивает больший коэффициент преломления, меньшее значение ширины линии, снижая физические ограничения.
Японская корпорация Nikon на днях озвучила планы по производству первых 193-нм иммерсионных сканеров, использующих технологию экспонирования с двойным шаблоном (double patterning) до конца 2008 года. Аппарат получил наименование NSR-S610C. Известно, что сканер будет поддерживать фирменные технологии Tandem Stage и Local Fill.
http://www.3dnews.ru/news/nikon_vipustit_skaner_dlya_32_nm_tehprotsessa_do_kontsa_2008_goda/
NSR-S610C представляет собой 193-нм иммерсионный сканер с числовой апертурой проекционной линзы 1,3.
представители компании IBM на прошлой неделе заявили, что намерены использовать иммерсионную литографию с длиной волны 193 нм при производстве 22-нм продуктов.
Иммерсионная литография разрабатывалась IBM совместно с ASML и Albany Nanotech.
http://www.3dnews.ru/news/na_litograficheskom_trone_srazu_dva_korolya/
ASML, Canon и Nikon являются главными поставщиками иммерсионного оборудования. ASML, на данный момент, отправила более 70 наборов, большая часть которых предназначена для производителей системной логики. Ключевыми являются модели ASML Twinscan XT1700i и XT1900Gi. Модель XT1900Gi способна обеспечить техпроцесс менее 40 нм и была отправлена более 10 покупателям с третьего квартала 2008. Nikon начал поставки NSR-S609B для 55-нм и 45-нм техпроцесса с 2006 года. Отгрузки NSR-S610C для 45 нм совершаются с 2007 года.
Двойная экспозиция
Смысл методики заключается в последовательном применении двух шаблонов во время прожига фоторезиста для получения рисунка с размерами элементов, не достижимыми с помощью обычных методов оптической литографии.
double exposure and double patterning, DE/DP
в основе DE/DP лежит вытравливание одного слоя фоторезиста с помощью последовательного применения двух фотомасок, формирующих смежные элементы.
Интерференция
использовании одновременно двух лазеров с разными длинами волн, в результате интерференции которых возникает сетчатый рисунок с более высоким разрешением, нежели этого можно добиться от каждого лазера по отдельности.
Не оптические ограничения при применении интерференсной литографии сужают сферу их использование для работы с фоторезистами, поэтому исследователи добавили к этой технологии сканирование. Применение интерференсной литографии сканирующего луча обуславливает постоянное движение воды, в отличие от традиционной интерференсной литографии, где вода неподвижна, и это вызывает смещение частот лазеров в результате допплеровского эффекта. Исследователям из MIT удалось решить эту проблему синхронизацией изображения сетки с движением воды используя звуковые волны, которые вибрируют в такт с кристаллами лазеров и синхронно смещают их частоты вверх и вниз.
Импринт
Используя литографический инструмент MII Imprio 250, Toshiba сумела нанести на кремниевую подложку 18-нм изолированные элементы и рисунок с плотно расположенными 24-нм элементами.
Критический допуск на размер элементов (critical dimension uniformity, CDU) составлял менее 1 нм, размытие края рисунка (line edge roughness, LER) не превышало 2 нм. Предъявленные образцы демонстрировали уровень дефективности (defectivity level) равный 0,3 повреждения на см2, что приближается к таковому для иммерсионной литографии. Степень перекрытия элементов (device overlay) находилась в допустимых пределах.
http://www.3dnews.ru/news/toshiba_za_imprint_litografiu_dlya_22_nm_tehprotsessa/
Электроннолучевая литография множественным пучком (multi-beam e-beam lithography)
Комментариев нет:
Отправить комментарий